ГК Балта

Оборудование для выращивания кристаллов

 


 

В течение многих лет компания PVA TePla разрабатывает и производит оборудование для выращивания кристаллов кремния. В этой области компания является мировым технологическим лидером.

PVA TePla поставляет оборудование для выращивания кристаллов всеми известными методами:

  • Чохральского;
  • вертикальной направленной кристаллизации;
  • зонной плавки;
  • химической эпитаксии из паровой фазы (SiGe).

 


 

Установки Чохральского

Производственные системы для роста кристаллов кремния и германия

Выбор типа необходимого оборудования зависит от диаметра и длины выращиваемого кристалла. Тем не менее все установки обладают следующими общими характеристиками

  • Модульная структура установок позволяет использовать их для роста полупроводникового кремния, солнечного кремния или германия без значительных переделок
  • Есть возможность разрабатывать базовые процессы для следующего поколения пластин (размеры, чистота)
  • Печь с двойными стенками из высоколегированной нержавеющей стали обеспечивает легкую очистку
  • Простое обслуживание печи при чистке и наладке процесса
  • Изолирующий клапан между печью и приемной камерой позволяет извлечь кристалл, когда исходный материал находится при температуре плавления
  • Высокоточная регулировка температуры расплава
  • Механизм перемещения кристалла использует шток или кабель, моторы прямого привода без необходимости обслуживания и систему управления скоростью высокой точности
  • Контроль процесса осуществляется с помощью программируемого логического контроллера и программного обеспечения для записи данных процесса и последующего анализа, включая графическое представление данных в режиме реального времени и сравнение с предыдущими процессами
  • Возможность добавления дополнительных компонентов, таких как магнит для стабилизации зоны расплава, устройство загрузки или устройства для контроля высоты зоны расплава

 

 

 


 

Установки зонной плавки

При росте кристаллов кремния методом зонной плавки исходный поликристалл кремния плавится в индукционном поле, создаваемом высокочастотной катушкой, расположенной в непосредственной близости от места расплава, но без какого-либо контакта с расплавом. Капля расплавленного поликремния растекается, сдерживаемая поверхностным натяжением и электромагнитными силами. После помещения монокристала – зародыша внизу расплава рост происходит с помощью медленного опускания зародыша и постепенного наращивания «плечей» и тела твердеющего монокристалла. 

Кремний, выращенный с помощью метода зонной плавки, обладает исключительной чистотой, так как отсутствует загрязнение от тигля. Эта чистота делает монокристаллический кремний превосходным материалом для силовой электроники и высокоэффективных солнечных приложений. 

Специфика процесса предъявляет высокие требования к качеству изготовления установок зонной плавки. Установки должны обеспечивать чрезвычайно плавное, без вибраций движение всех механических частей и одновременно поддерживать чрезвычайную чистоту в камере.

 

 


 

Установки роста SiC

Установки роста карбида кремния

baSiC-T – Новое поколение установок роста кристаллов SiC 

Система baSiC-T компании PVA TePla использует метод физического переноса в газовой фазе (physical vapor transport - pvt). Эта система была спроектирована специально для роста кристаллов карбида кремния (SiC) с помощью сублимации исходного порошка при высоких температурах. Система представляет собой модульную конструкцию и дает возможность использования подложек (затравок) вплоть до диаметра 6”.

Применение в приложениях силовой электроники

  • Высокий уровень автоматизации для массового производства
  • Доступно программное обеспечение управления несколькими установками одновременно (цеха)
  • Небольшие габариты, компактное размещение 

Можно использовать для роста кристаллов 4” и 6”

Индуктивный нагрев с использованием катушек, проверенных при массовом производстве

  • Низкое энергопотребление (приблизительно 10КВт при 2,200 °C)

Мобильная загрузка и разгрузка горячей зоны 

 

Превосходная система управления 

  • Интуитивное управление при высоком уровне автоматизации
  • Визуализация процесса с расширенными функциями представления трендов
  • Подготовка программы роста в режиме офлайн с множественными программами роста, управляемыми параметрами
  • Запись данных о процессе и их доступность
  • Система управления и система визуализации работают независимо для обеспечения безопасности 
  • Повышенная безопасность
  • Соответствие стандарту CE 
  • Контроль качества и расширенная документация по качеству

Тесное взаимодействие с заказчиками, научными институтами и поставщиками компонентов

   

Применение

  • Силовая электроника
    • PFC (Power Factor Converter)
    • Инверторы и конверторы для гибридных технологий
    • Инверторы для солнечной энергетики
  • Высокочастотная электроника
  • Опто-электроника

Технические спецификации

Реактор

  • Операционное давление:Прибл. 1 - 900 мбар
  • Операционная температура:Макс. 2,600 °C

Источник питания

  • Мощность:Макс. 60 КВт
  • Частота:6 - 12 КГц